Intel ödüllerinde iki Türk araştırma ekibinin çalışması öne çıktı

TOBB Ekonomi ve Teknoloji Üniversitesinin (TOBB ETÜ) açıklamasına göre Intel, donanım güvenliğine katkı sağlayan akademik çalışmaları 2021’den bu yana ödüllendiriyor. Şirketin verdiği Kalıcı Etki Ödülü ile Güncel Yayın Ödülü bu yıl Türk araştırmacıların da imza attığı çalışmalara gitti.

En az 10 yıl önce yayımlanan ve alanı kalıcı biçimde etkileyen çalışmalara verilen Kalıcı Etki Ödülü, satır darbelemeyi (RowHammer) ilk kez ortaya koyan 2014 tarihli “Flipping Bits in Memory Without Accessing Them” araştırmasına verildi.

Flipping Bits in Memory Without Accessing Them

Yoongu Kim, Ross Daly, Jeremie Kim, Chris Fallin, Ji Hye Lee, Donghyuk Lee, Chris Wilkerson, Konrad Lai ve Prof. Dr. Onur Mutlu’nun yer aldığı çalışma, dünyanın üç büyük bellek üreticisinden sınanan bellek modüllerinin yüzde 80’inden fazlasında satır darbelemenin görüldüğünü ortaya koymuştu. Intel, araştırmayı DRAM bozulma hatalarını ilk kez gözler önüne seren çığır açıcı bir çalışma olarak nitelendirdi.

Son iki yılda yayımlanan araştırmalara verilen Güncel Yayın Ödülü’nü ise “Chronus: Understanding and Securing the Cutting-Edge Industry Solutions to DRAM Read Disturbance” başlıklı bildiri kazandı. Çalışmanın yazarları Oğuzhan Canpolat, Giray Yağlıkçı, Geraldo F. Oliveira, Ataberk Olgun, Nisa Bostancı, İsmail Emir Yüksel, Haocong Luo, Prof. Dr. Oğuz Ergin ve Prof. Dr. Onur Mutlu.

Satır darbeleme açığına karşı sanayinin geliştirdiği en yeni korumayı 11 yıl sonra inceleyip güçlendiren çalışmanın ödülünü törende Giray Yağlıkçı, yazarlar adına aldı. Dokuz yazardan yedisi Türk; beşi TOBB ETÜ’de Prof. Dr. Oğuz Ergin’in öğrencisi olarak yetişti.

Chronus’un baş yazarı Oğuzhan Canpolat, Ergin’in yönettiği TOBB ETÜ Kasırga Mikroişlemciler Laboratuvarının mikroişlemci tasarım takımında yetişti; çalışma, Canpolat’ın yüksek lisans tezinin konusuydu. Dokuz yazardan beşi Kasırga’da yetişirken, laboratuvar takımları TEKNOFEST Çip Tasarım Yarışması’nda dört yıl üst üste toplam beş birincilik kazandı.